云南锗业

磷化铟晶片 InP Wafer

公司投产了具有国际先进水平的2-4英寸磷化铟衬底生产线。产品被广泛应用于微波振荡器与放大器、光纤通讯功率放大器以及激光武器功率放大器等领域。

We set up a produceing line of 2’’ to 4’’ semi-conducting & semi-insulating InP wafer producing. They are wildly used in microwave oscillator & amplifier, amplifier for optical communication & power amplifier for laser weapons.

半导体磷化铟规格 Specifications of semi-conducting InP wafer

生长方法 Growth Method	VGF
掺杂类型 Dopant	P型：锌 p-type: Zn	N型：硫，锡，无掺杂 n-type: S, Sn AND Undoped
晶片形状 Wafer Shape	圆形（尺寸2、3、4英寸） Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’)
晶向 Surface Orientation *	(100)±0.5°
* Other Orientations maybe available upon request 其他晶向要求可根据客户需求加工
Dopant 掺杂	硫，锡(N型) S & Sn (n-type)	无掺杂(N型) Undoped (n-type)	锌(P型) Zn (p-type)
载流子浓度 Carrier Concentration (cm-3)	( 0.8-8) × 1018	( 1-10) × 1015	( 0.8-8) × 1018
迁移率 Mobility (cm2/V.S.)	( 1-2.5) × 103	( 3-5) × 103	50-100
位错 Etch Pitch Density (cm2)	100-5,000	≤ 5000	≤ 500
直径 Wafer Diameter (mm)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3
厚度 Thickness (µm)	350±25	625±25	625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 15	≤ 15
WARP (µm)	≤ 15	≤ 15	≤ 15
OF (mm)	17±1	22±1	32.5±1
OF / IF (mm)	7±1	12±1	18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P
E=Etched, P=Polished（E=腐蚀, P=抛光）
**If needed by customer 根据客户需要

半绝缘磷化铟规格 Specifications of semi-insulating InP wafer

生长方法	VGF
掺杂类型 Dopant	SI 型：铁 SI Type:Iron (FE)
晶片形状 WaferShape	圆形（尺寸2、3、4英寸） Round(DIA:2’’,3’’,4’’)
晶向 SurfaceOrientation*	(100)±0.5°
*OtherOrientationsmaybeavailableuponrequest 其他晶向要求可根据客户需求加工
电阻率 Resistivity(Ω.cm)	≥ 0.5× 10⁷
迁移率 Mobility (cm2/V.S)	≥ 1,000
位错 EtchPitchDensity(cm2)	1,500-5,000
直径 Wafer Diameter (mm)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3
厚度 Thickness(µm)	350±25	625±25	625±25
TTV[P/P](µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10
TTV[P/E](µm)	≤ 10	≤ 15	≤ 15
WARP(µm)	≤ 15	≤ 15	≤ 15
OF (mm)	17±1	22±1	32.5±1
OF / IF (mm)	7±1	12±1	18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P
E=Etched, P=Polished（E=腐蚀, P=抛光）
**Ifneededbycustomer 根据客户需要

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